Aplicação específica do carboneto de silício verde na indústria de equipamentos de comunicação por fibra ótica
Devido às suas propriedades físicas e químicas únicas, o carboneto de silício verde é utilizado principalmente no processamento de alta precisão de componentes principais e no fabrico de dispositivos semicondutores na indústria de equipamentos de comunicação por fibra ótica. Os cenários de aplicação específicos são os seguintes:
1. Suporte para o fabrico de dispositivos semicondutores
Retificação de precisão da superfície do wafer O pó
de carboneto de silício verde é utilizado para o corte e retificação de wafers semicondutores (como o silício, o arseneto de potássio e os cristais de quartzo). A sua elevada dureza e controlo preciso do tamanho das partículas podem remover eficazmente a camada danificada na superfície do wafer e atingir a planura submicrónica, estabelecendo a base para processos como a litografia e a gravação. Isto é crucial para a fiabilidade dos chips óticos e dos circuitos integrados em equipamentos de comunicação por fibra ótica.
Processamento de substratos de componentes eletrónicos
O carboneto de silício verde de alta pureza pode ser utilizado como material semicondutor para fabricar diretamente componentes eletrónicos, como díodos e transístores. A sua elevada condutividade térmica e estabilidade melhoram o desempenho do dispositivo no processamento de sinais de alta velocidade e são adequadas para acionar circuitos em módulos óticos.
2. Otimização do processamento de componentes de fibra ótica
Polimento de componentes óticos
O pó de carboneto de silício verde é utilizado para o polimento de ultraprecisão de componentes óticos, como faces de conectores de fibra ótica, lentes e prismas. Ao controlar a rugosidade da superfície, reduz a perda por espalhamento de sinais óticos e garante as características de baixa atenuação de transmissão da comunicação por fibra ótica.
Fabrico de peças estruturais cerâmicas
Nos módulos transceptores óticos, as cerâmicas de carboneto de silício verde são utilizadas como bases de encapsulamento de laser e componentes de dissipação de calor devido à sua elevada resistência à temperatura e à corrosão para garantir a estabilidade do sinal em ambientes de alta temperatura.
3. Desempenho melhorado dos equipamentos de comunicação
Dissipação de calor melhorada de dispositivos de alta frequência
Os substratos verdes de carboneto de silício (como substratos de SiC semi-isolantes) suportam o crescimento epitaxial de nitreto de gálio (GaN) e são utilizados no fabrico de dispositivos de alta frequência, como amplificadores de potência de RF para estações base 5G. A sua elevada condutividade térmica melhora significativamente a eficiência da dissipação de calor e reduz a degradação do desempenho causada pelo sobreaquecimento dos equipamentos.
Aplicação de módulos de conversão de energia
Os dispositivos de energia de carboneto de silício verde (como os MOSFETs de SiC) são utilizados em sistemas de comunicação para reduzir a perda de energia através da conversão eficiente de energia e melhorar a eficiência energética de instalações como centros de dados e estações base.
Principais características e valor para a indústria
| Funcionalidades | Valor da aplicação |
| Alta dureza | Realize o processamento de precisão a nível nano de wafers/componentes óticos e reduza a taxa de defeitos do dispositivo |
| Excelente condutividade térmica | Resolva o estrangulamento de dissipação de calor dos dispositivos de alta frequência e prolongue a vida útil do equipamento |
| Estabilidade química | Tolerar ambiente de processo corrosivo e garantir a taxa de rendimento do fabrico de semicondutores |
| Desempenho elétrico controlável | Utilizado diretamente em dispositivos semicondutores de alta fiabilidade para suportar a eficiência do processamento de sinais de comunicação ótica |
O carboneto de silício verde tornou-se um suporte material essencial para o elevado desempenho e a miniaturização dos equipamentos de comunicação por fibra ótica, melhorando a precisão do processamento, a eficiência da dissipação de calor e a fiabilidade dos componentes principais. Especialmente em cenários como estações base 5G e módulos óticos de data centers, as suas vantagens técnicas estão diretamente relacionadas com a eficiência energética do sistema e com a qualidade do sinal.